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【新品上市】半導體曝光裝置PPS-8200/8300

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標題01
適合各種應用

兼容WL-CSP、IGBT、CIS等光刻6/8/12英寸。

內容1
標題01
  • 寬帶曝光(自動切換與配方ghi線、gh線、i線聯動)
  • 配備可變NA功能(0.16~0.1之間可變)
  • 標線設計格式最多 8 個區(qū)域
  • 光學系統免受周圍環(huán)境中的抗蝕劑脫氣和化學物質的影響

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產品規(guī)格

規(guī)格

模型 PPS-8200/8300
晶圓尺寸 6/8/12英寸
解決 2.0 μmL/S(2.0 μm 抗蝕劑厚度)
NA(數值孔徑) 0.16、0.1 變量
減速比 1:1
場地大小 52毫米×33毫米
曝光波長 ghi-Line gh-line i-line(鏈接到配方)
標線尺寸 6英寸
疊加精度 ≤0.5微米(|平均|+3σ)
設備尺寸/重量 (寬)2,260 x (深)3,460 x (高)2,500 毫米 / 5,500 公斤
主要選項 背面對準系統
晶圓周邊曝光系統
晶圓周邊非曝光系統
薄晶圓傳送系統
GEM 通信兼容
內聯兼容